紫外DPSS激光器在LED晶圓劃片中的應(yīng)用
DPSS是全固態(tài)半導(dǎo)體激光器的簡稱。窄脈寬、短波長紫外二極管泵浦固體激光器(DPSS)的最新進(jìn)展促進(jìn)了工業(yè)生產(chǎn)系統(tǒng)的發(fā)展。過去,DPSS激光器比較適用于科研而不適于工業(yè)生產(chǎn)。隨著DPSS激光器的進(jìn)展,現(xiàn)已開辟出很多可能的應(yīng)用,包括紅外、脈沖連續(xù)波以及Q開關(guān)產(chǎn)生具有多脈沖寬度的脈沖光波。與其他種類的激光器相比,DPSS激光器在調(diào)控脈沖形狀、重復(fù)頻率和光束質(zhì)量等方面具有較大的靈活性,其生成的諧波允許用戶獲得適于多種材料加工的較短波長的光束。激光器的選擇不僅與應(yīng)用有關(guān),而且與激光束的特性直接相關(guān)。例如,用于大面積圖形加工的準(zhǔn)分子激光器能發(fā)出具有較低脈沖重復(fù)頻率(一般低于1kHz)的較粗光束。準(zhǔn)分子能產(chǎn)生具有中等脈沖重復(fù)頻率的高脈沖能量的激光束。目前所使用的基于Nd∶YVO4的DPSS激光器能產(chǎn)生大約1?滋m波長的紅外光束,利用諧波振蕩器進(jìn)行二倍頻(輸出綠光)、三倍頻(輸出近紫外光)或者四倍頻(輸出深紫外光)。
355nm與266nm多倍頻DPSS激光器在紫外波段可以輸出數(shù)瓦的功率、kHz量級(jí)高重復(fù)頻率、高脈沖能量的激光,短脈沖的光束經(jīng)過聚焦后可以產(chǎn)生極高的功率密度,在晶圓劃片中可以使材料迅速氣化。在通常的激光劃片過程中,采用了一種遠(yuǎn)場成像的簡易技術(shù)將光束聚焦到一個(gè)小點(diǎn),然后移到晶片材料上。不同的材料由于吸收光的特性不一樣,因此需要的光強(qiáng)也不一樣,但是這種遠(yuǎn)場成像的聚焦光斑在調(diào)節(jié)優(yōu)化光強(qiáng)時(shí)不夠靈活,光強(qiáng)過強(qiáng)或過弱都會(huì)影響激光劃片效果。而且通常的激光劃片局限于獲得最小的聚焦光斑,后者決定了劃片的分辨率。
圖1、氮化鎵-藍(lán)寶石晶圓激光劃片的切口寬度為2.5微米。
要達(dá)到理想的加工效果,優(yōu)化激光光強(qiáng)就很重要了,因此需要一種新的激光劃片方法來克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。美國JPSA公司的技術(shù)人員開發(fā)了一種有效的光束整形與傳遞的光學(xué)系統(tǒng),該系統(tǒng)可以獲得很狹窄的2.5微米切口寬度,可以在保證最小聚焦光斑的同時(shí)調(diào)節(jié)優(yōu)化激光強(qiáng)度,大大提高了半導(dǎo)體晶圓劃片的速度,同時(shí)降低了對(duì)材料過度加熱與附帶損傷的程度。這種新的激光加工工藝與技術(shù)可以獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、更高的成品率和產(chǎn)量。
圖2、248nm激光剝離示意圖
圖3、248nm激光剝離藍(lán)寶石上的氮化鎵(一個(gè)脈沖激光光斑一次覆蓋9個(gè)芯片)。
JPSA對(duì)不同波長的激光進(jìn)行開發(fā),使它們特別適合于晶圓切割應(yīng)用,采用266nm的DPSS激光器對(duì)藍(lán)光LED藍(lán)寶石晶圓的氮化鎵正面進(jìn)行劃片,正切劃片速度可達(dá)150mm/s,每小時(shí)可加工大約15片晶圓(標(biāo)準(zhǔn)2英寸晶圓,裸片尺寸350m×350m),切口卻很?。ㄐ∮?m)。激光工藝具有產(chǎn)能高、對(duì)LED性能影響小的特點(diǎn),容許晶圓的形變和彎曲,其切割速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)機(jī)械切割方法。
除了藍(lán)寶石之外,碳化硅也可以用來作為藍(lán)光LED薄片的外延生長基板。266nm和355nm紫外DPSS激光器(帶隙能量分別為4.6eV和3.5eV)可用于碳化硅(帶隙能量為2.8eV)劃片。JPSA通過持續(xù)研發(fā)背切劃片的激光吸收增強(qiáng)等新技術(shù),研發(fā)了雙面劃片功能,355nm的DPSS激光器可以從LED的藍(lán)寶石面進(jìn)行背切劃片,實(shí)現(xiàn)了劃片速度高達(dá)150mm/s的高產(chǎn)量背切劃片,無碎片并且不損壞外延層。對(duì)于第III-V主族半導(dǎo)體,例如砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)和磷化銦(InP),典型的切口深度為40m,250微米厚的晶圓劃片速度高達(dá)300mm/s.
準(zhǔn)分子激光器在2D圖案成形與3D微加工、LED剝離中的應(yīng)用
準(zhǔn)分子激光器以準(zhǔn)分子為工作物質(zhì)的一類氣體激光器件。常用相對(duì)論電子束(能量大于200千電子伏特)或橫向快速脈沖放電來實(shí)現(xiàn)激勵(lì)。當(dāng)受激態(tài)準(zhǔn)分子的不穩(wěn)定分子鍵斷裂而離解成基態(tài)原子時(shí),受激態(tài)的能量以激光輻射的形式放出。波長為193nm的ArF準(zhǔn)分子激光,進(jìn)行屈光手術(shù)的機(jī)理就是光化學(xué)效應(yīng)。準(zhǔn)分子激光單個(gè)光子的能量大約是6.4eV,而角膜組織中肽鍵與碳分子鍵的結(jié)合能量僅為3.6eV.當(dāng)其高能量的光子照射到角膜,直接將組織內(nèi)的分子鍵打斷,導(dǎo)致角膜組織碎裂而達(dá)到消融切割組織的目的,并且由于準(zhǔn)分子激光脈寬短(10~20nm),又是光化學(xué)效應(yīng)切除。因此,對(duì)切除周圍組織的機(jī)械損傷和熱損傷極?。ī?.30μm)。
2D圖案成形與3D微加工 準(zhǔn)分子激光器可以產(chǎn)生大面積方形或矩形的光斑,特別適合大面積圖案成形工藝與3D微加工。準(zhǔn)分子激光器可以在相對(duì)較大的聚焦平面范圍內(nèi)高效地加工材料,例如500mJ的UV光束在能量密度為1 J/cm2時(shí)光斑的面積達(dá)到7×7mm.大面積的準(zhǔn)分子激光束可以投射到光刻掩模上,微加工特殊的形狀和圖案;這些被稱為近場成像。通過掩膜板與加工工件的協(xié)調(diào)運(yùn)動(dòng),可以微加工得到較大的復(fù)雜圖案。
圖4、薄膜太陽能電池的P1、P2、P3三層材料需要多光路激光劃片系統(tǒng)先后進(jìn)行三次劃片。
LED激光剝離(LLO) LED激光剝離的基本原理是利用外延層材料與藍(lán)寶石材料對(duì)紫外激光具有不同的吸收效率。藍(lán)寶石具有較高的帶隙能量(9.9eV),所以藍(lán)寶石對(duì)于248nm的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光(5eV輻射能量)是透明的,而氮化鎵(約3.3eV的帶隙能量)則會(huì)強(qiáng)烈吸收248nm激光的能量。正如圖2所示,激光穿過藍(lán)寶石到達(dá)氮化鎵緩沖層,產(chǎn)生一個(gè)局部的爆炸沖擊波,在氮化鎵與藍(lán)寶石的接觸面進(jìn)行激光剝離?;谕瑯拥脑恚?93nm的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光可以用于分離氮化鋁(AlN)與藍(lán)寶石。具有6.3eV帶隙能量的氮化鋁可以吸收6.4eV的ArF激光輻射,而9.9eV帶隙能量的藍(lán)寶石對(duì)于ArF準(zhǔn)分子激光則是透明的。
光束均勻性和晶圓制備對(duì)于實(shí)現(xiàn)成功剝離都很重要。JPSA公司采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術(shù)使得準(zhǔn)分子激光束在晶圓上可以產(chǎn)生最大面積達(dá)5×5毫米的均勻能量密度分布的平頂光束。設(shè)計(jì)人員通過激光剝離(LLO)工藝可以實(shí)現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED,它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的各種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供更大的電流,消除電流擁擠問題以及器件內(nèi)的瓶頸問題,顯著提高LED的最大輸出光功率與最大效率。圖3展示了一個(gè)典型的剝離效果。
圖5、JPSA薄膜太陽能電池優(yōu)化劃片(左)與非JPSA薄膜太陽能電池劃片(右)的比較。
DPSS激光器與光纖激光器在薄膜太陽能電池劃片中的應(yīng)用
光纖激光器是指用摻稀土元素玻璃光纖作為增益介質(zhì)的激光器,光纖激光器可在光纖放大器的基礎(chǔ)上開發(fā)出來:在泵浦光的作用下光纖內(nèi)極易形成高功率密度,造成激光工作物質(zhì)的激光能級(jí)"粒子數(shù)反轉(zhuǎn)",當(dāng)適當(dāng)加入正反饋回路(構(gòu)成諧振腔)便可形成激光振蕩輸出。光纖激光器應(yīng)用范圍非常廣泛,包括激光光纖通訊、激光空間遠(yuǎn)距通訊、工業(yè)造船、汽車制造、激光雕刻激光打標(biāo)激光切割、印刷制輥、金屬非金屬鉆孔/切割/焊接(銅焊、淬水、包層以及深度焊接)、軍事國防安全、醫(yī)療器械儀器設(shè)備、大型基礎(chǔ)建設(shè)等等。
DPSS激光器與光纖激光器具有體積小、功率大、倍頻波長范圍多等特點(diǎn),適合在太陽能電池劃片中的應(yīng)用。
由于硅材料的成本增加,很多光伏(PV)平板制造商從制造第一代的硅晶太陽能電池轉(zhuǎn)為制造第二代的薄膜太陽能電池。薄膜太陽能電池包括非晶硅(a-Si)太陽能電池、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)化合物半導(dǎo)體電池。相比硅晶電池的幾百微米硅晶厚度,薄膜太陽能電池薄膜厚度只有幾個(gè)微米,大大降低了材料的成本。薄膜太陽能電池具有材料用量少、加工工序少、有彈性、半透明、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。
JPSA設(shè)計(jì)的薄膜太陽能電池激光劃片加工系統(tǒng)采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術(shù)使得DPSS激光束產(chǎn)生均勻能量密度分布的平頂光束,根據(jù)加工材料可選擇1064nm、352nm、355nm或266nm波長的激光,多光路快速加工,可以對(duì)非平面玻璃板薄膜自動(dòng)聚焦,無HAZ熱影響區(qū),可以高產(chǎn)量、高效地進(jìn)行薄膜太陽能電池的P1、P2、P3劃片與P4邊緣隔離,掃描速度可達(dá)1.5米/秒。
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