閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
半導(dǎo)體/PCB

國家制造業(yè)創(chuàng)新中心落戶復(fù)旦張江校區(qū) 聚焦集成電路研發(fā)

星之球科技 來源:新民晚報2018-06-06 我要評論(0 )   

  位于復(fù)旦大學(xué)張江校區(qū)里的國家集成電路創(chuàng)新中心,在今年1月份已獲批上海市集成電路制造業(yè)創(chuàng)新中心。幾天前,由工信部、中科



   位于復(fù)旦大學(xué)張江校區(qū)里的國家集成電路創(chuàng)新中心,在今年1月份已獲批上海市集成電路制造業(yè)創(chuàng)新中心。幾天前,由工信部、中科院、中國工程院等單位專家出席的論證會上,一致通過了該中心“升格”為國家制造業(yè)創(chuàng)新中心的建設(shè)方案。
 
 
圖說:張衛(wèi)教授 受訪者供圖(下同)
 
  一流平臺:產(chǎn)學(xué)研攜手攻關(guān)
 
  復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長張衛(wèi)教授說,中心依托上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司,采用“公司+聯(lián)盟”的產(chǎn)學(xué)研一體化方式,由復(fù)旦大學(xué)牽頭,聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)中芯國際、華虹集團等,建立集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同機制,以行業(yè)協(xié)同創(chuàng)新模式組建。上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司是由復(fù)旦大學(xué)、中芯國際和上海華虹集團共同出資組建的實體公司。其中,中芯國際是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),也是世界先進(jìn)集成電路晶圓代工企業(yè)之一。華虹集團是國家“909”工程的成果與載體,是以集成電路制造業(yè)務(wù)為核心的多業(yè)務(wù)平臺共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團。復(fù)旦大學(xué)的微電子學(xué)科,源于謝希德先生等在上世紀(jì)50年代創(chuàng)辦的半導(dǎo)體物理專業(yè),在國內(nèi)外享有盛譽,擁有國內(nèi)高校唯一一家集成電路設(shè)計領(lǐng)域國家重點實驗室——“專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室”。
 

 
  創(chuàng)新成果:快速低耗存儲器
 
  張江校區(qū)里的一幢三層小樓、28名專職“勇士”,這就是這個國家級中心目前的家底,近年來硬是憑著一股闖勁,已經(jīng)取得了重要創(chuàng)新成果。張衛(wèi)院長說:“我們研發(fā)的半浮柵器件,是一種全新原理的微電子基礎(chǔ)器件,它巧妙地將隧穿場效應(yīng)晶體管(TEET)和浮柵晶體管相結(jié)合,構(gòu)建成了一種全新原理的微電子器件,我們把它命名為半浮柵晶體管(Semi-Floating Gate Transistor,簡稱SFGT)。它的優(yōu)點是速度快、功耗低。這項成果得到了國際同行的廣泛關(guān)注,評價這項成果時將它稱為‘晶體管中的混合動力賽車登場了’。”美國一家技術(shù)咨詢公司對這項成果給出的評價是:“半浮柵晶體管能夠解決動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片面臨的技術(shù)問題,有潛在的技術(shù)能力來替代DRAM。”
 
  此外,半浮柵晶體管還可應(yīng)用于CPU芯片的緩存。現(xiàn)有緩存通常采用6個晶體管構(gòu)成的SRAM結(jié)構(gòu),集成度低、占用面積大。如果采用半浮柵晶體管,則面積能縮小為原來的20%。SFGT還可以應(yīng)用于圖像傳感器芯片(APS),提高填充因子,使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到顯著提升。
 
  研發(fā)目標(biāo):3納米集成電路
 
  現(xiàn)在,張衛(wèi)教授的心里頗為踏實,由復(fù)旦大學(xué)牽頭組建的國家集成電路創(chuàng)新中心,能夠充分發(fā)揮高校和科研院所資源共享的優(yōu)勢,為產(chǎn)業(yè)界合作搭建共性技術(shù)研發(fā)平臺;可以更好地匯聚高端人才,開展源頭創(chuàng)新,掌握核心技術(shù),從而增強集成電路領(lǐng)域的國際合作能力,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)提升提供服務(wù),并為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供人才支撐。
 
  “我們是一個中立的、公共的共性技術(shù)研發(fā)平臺,跟企業(yè)的研發(fā)中心不一樣。企業(yè)研發(fā)中心主要是做目標(biāo)產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā),我們這個中心是瞄準(zhǔn)集成電路的關(guān)鍵共性技術(shù),突出共性技術(shù)研發(fā)能力、行業(yè)服務(wù)與成果轉(zhuǎn)化的能力。”張衛(wèi)說,共性技術(shù)研發(fā)工作目前主要集中在5納米及以下集成電路的共性技術(shù),聚焦新器件新工藝研發(fā),目的是解決我國集成電路主流技術(shù)方向選擇和可靠技術(shù)來源問題,支持高端芯片在國內(nèi)制造企業(yè)實現(xiàn)生產(chǎn)。“中心目前正在開展納米線圍柵器件、半浮柵晶體管等新器件和新工藝的研發(fā),到2022年年底,將系統(tǒng)地開展集成技術(shù)研發(fā),打通5納米集成電路關(guān)鍵工藝,并開展3納米前瞻技術(shù)的研發(fā),建成具有國際影響力的集成電路先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新中心。”張衛(wèi)介紹說,復(fù)旦大學(xué)在張江校區(qū)已規(guī)劃了建設(shè)約2.9萬平方米的微納電子樓,未來將用于這個國家集成電路創(chuàng)新中心,爭取三年里打造一支由180名專職科研人員組成的集成電路研發(fā)“第一方陣”。

轉(zhuǎn)載請注明出處。

集成電路芯片
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點評
0相關(guān)評論
精彩導(dǎo)讀