閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
深度解讀

硅基光子集成回路在中紅外波段的應(yīng)用

星之球科技 來源:中國激光2017-10-16 我要評論(0 )   

Photon. Res.封面故事新加坡科技研究局微電子研究院納米光子研究中心設(shè)計并實現(xiàn)了基于絕緣襯底上硅和絕緣襯底上氮化硅的用于2 m

Photon. Res.封面故事
新加坡科技研究局微電子研究院納米光子研究中心設(shè)計并實現(xiàn)了基于絕緣襯底上硅和絕緣襯底上氮化硅的用于2 μm和3.8 μm的低損耗中紅外波導(dǎo)及無源光子器件,提出了二氧化碳?xì)怏w傳感器作為中紅外應(yīng)用的方案。
中紅外波段(2—20 μm)涵蓋了很多分子的特征吸收譜。這一特性使得構(gòu)建中紅外光子傳感器成為可能。這些傳感器可應(yīng)用于環(huán)境、工業(yè)的檢測以及生物傳感。此外,中紅外波段含有大氣高透射率窗口,可用于自由空間光通信和激光雷達(dá)系統(tǒng)。鑒于硅光子在近紅外波段所表現(xiàn)出的優(yōu)勢,在中紅外的應(yīng)用中,它仍然是極具吸引力的技術(shù)方案。
 
許多互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)工藝兼容的材料體系和技術(shù)平臺被開發(fā)用于實現(xiàn)不同中紅外波段的低損耗光波導(dǎo)。這些材料包括絕緣襯底上硅、氮化硅上硅、硅上鍺、絕緣襯底上鍺、氮化硅上鍺、硅上藍(lán)寶石、硅上硅鍺合金以及絕緣襯底上氮化鋁?;谶@些材料,世界范圍內(nèi)的許多課題組制作出了中紅外無源、有源光子器件。最新的相關(guān)研究成果綜述發(fā)表在Photonics Research 2017年第5卷第5期上 (T. Hu, et al., Silicon photonic platforms for mid-infrared applications )。
 
 
該文還報道了作者在短中紅外波段所做的研究工作。他們設(shè)計并實現(xiàn)了基于絕緣襯底上硅和絕緣襯底上氮化硅的用于2 μm和3.8 μm的低損耗中紅外波導(dǎo)及無源光子器件,提出了二氧化碳?xì)怏w傳感器作為中紅外應(yīng)用的方案。分析指出,使用傳輸損耗為1.5 dB/cm的螺旋光波導(dǎo)可以實現(xiàn)20 ppm的探測極限。如果波導(dǎo)傳輸損耗減小,探測靈敏度可以進(jìn)一步提高。新加坡科技研究局微電子研究院納米光子研究中心主任盧國強(qiáng)博士認(rèn)為,相關(guān)研究對擴(kuò)展集成光學(xué)在其他方面的應(yīng)用具有重要意義。
 
下一步的工作重點是將高性能無源器件與中紅外激光器、探測器集成,實現(xiàn)高靈敏度氣體傳感器。
 
基于中紅外光子集成回路的緊湊型CO2氣體傳感器。中紅外光源和探測器之間的光波導(dǎo)是與被探測物相互作用的元件,其螺旋結(jié)構(gòu)可以增加相互作用的長度從而提高靈敏度。
 
論文鏈接:
https://www.osapublishing.org/prj/abstract.cfm?uri=prj-5-5-417

轉(zhuǎn)載請注明出處。

硅基光子激光技術(shù)
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點評
0相關(guān)評論
精彩導(dǎo)讀