科技創(chuàng)新再傳喜訊。7月17日，記者從電科裝備45所了解到，由其牽頭承擔(dān)的激光隱形劃切設(shè)備及工藝開發(fā)項(xiàng)目近日順利通過北京市科委驗(yàn)收。專家一致認(rèn)為，電科裝備45所研發(fā)的激光隱形劃切設(shè)備突破了激光劃切實(shí)時(shí)測高及動態(tài)焦點(diǎn)跟隨、運(yùn)動軌跡控制、分層隱形劃切等關(guān)鍵技術(shù)，掌握了碳化硅(SiC)晶圓隱形劃切工藝，滿足碳化硅晶圓切割需求，并且有望帶動國產(chǎn)激光器等核心器件的自主可控發(fā)展。

　　SiC材料具有高頻率、高功率、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是第三代半導(dǎo)體的優(yōu)秀代表。目前常使用砂輪劃切和激光表面燒蝕劃切，前者效率低且劃切槽較寬，造成嚴(yán)重的材料浪費(fèi)和刀具磨損；后者由于熱影響和熔渣影響器件性能，無法滿足工藝需求。

經(jīng)過不斷地創(chuàng)新，電科裝備45所研發(fā)的激光隱形劃切工藝將激光聚焦在材料內(nèi)部形成改質(zhì)層，然后通過裂片或擴(kuò)膜的方式分離晶粒，使得晶圓表面無劃痕、無粉塵污染，幾乎無材料損耗，加工效率高，劃切完后無需清洗，適合于材料昂貴、抗污染能力差的器件生產(chǎn)。該工藝可以廣泛用于碳化硅、藍(lán)寶石、石英、鈮酸鋰等晶圓劃片領(lǐng)域。

　　據(jù)介紹，激光隱形劃切設(shè)備滿足了碳化硅晶圓切割的需求，性能指標(biāo)達(dá)到同類產(chǎn)品國際先進(jìn)水平。項(xiàng)目開發(fā)中，研發(fā)團(tuán)隊(duì)還與國內(nèi)激光器廠家合作開發(fā)了適合碳化硅晶圓劃切的皮秒激光器，同步提升了國產(chǎn)超快激光器制造技術(shù)。

　　激光隱形劃切設(shè)備的成功研發(fā)，極大增強(qiáng)了國內(nèi)半導(dǎo)體裝備業(yè)的整機(jī)制造和工藝研發(fā)能力，提升了器件生產(chǎn)企業(yè)的核心競爭力。此外，電科裝備45所還建立了適用于激光隱形劃切設(shè)備研制的技術(shù)平臺、裝配平臺和檢測平臺，未來能夠有力推動其他激光劃片設(shè)備的技術(shù)提升及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

　　科技成果轉(zhuǎn)化是加速創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展的重要引擎。下一步，將加速激光隱形劃切設(shè)備進(jìn)入碳化硅器件產(chǎn)線驗(yàn)證，全面考核和提升設(shè)備性能，積極探索設(shè)備在鈮酸鋰晶體、鉭酸鋰晶體、石英晶體等方面的應(yīng)用。

（文章來源：北京商報(bào)）