日前，蘇大維格團(tuán)隊(duì)帶著公司自主研發(fā)的激光圖形化直寫(xiě)設(shè)備MiScan200前往歐洲交付調(diào)試，團(tuán)隊(duì)?wèi){借專(zhuān)業(yè)的技術(shù)能力及嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ鲬B(tài)度深受客戶(hù)好評(píng)。
據(jù)了解，蘇大維格本次向歐洲提供的MiScan激光圖形化直寫(xiě)設(shè)備（8吋）省去了繁瑣的掩膜加工步驟，提供快速，高效和低成本光刻直寫(xiě)制程的解決方案，尤其對(duì)于有光刻Mask外協(xié)需求的用戶(hù)來(lái)說(shuō)，可以自制相應(yīng)的Mask降低成本或提升研發(fā)速度需求；本產(chǎn)品采用大功率半導(dǎo)體激光光源，長(zhǎng)壽命、低功耗；用戶(hù)操作界面友好靈活，支持多種版圖設(shè)計(jì)格式；可根據(jù)自身的加工需求，方便靈活的選用不同的投影倍率和不同調(diào)制方式實(shí)現(xiàn)多種模式圖形制備。通用型MiScan產(chǎn)品（單次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重對(duì)準(zhǔn)套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翹曲襯底（0－100微米）圖形光刻，尤其適合MEMS器件、功率器件和射頻器件等厚膠套刻。
此外，面向光電子、柔性電子和新材料領(lǐng)域，蘇大維格提供從4＂－70＂的紫外微納3D光刻直寫(xiě)解決方案和高端裝備，包括支持灰度光刻（微納3D形貌）、微納混合光刻（特征結(jié)構(gòu)90nm或更?。┖痛竺娣e微納圖形直寫(xiě)（高速光刻）。
據(jù)了解，蘇大維格本次向歐洲提供的MiScan激光圖形化直寫(xiě)設(shè)備（8吋）省去了繁瑣的掩膜加工步驟，提供快速，高效和低成本光刻直寫(xiě)制程的解決方案，尤其對(duì)于有光刻Mask外協(xié)需求的用戶(hù)來(lái)說(shuō)，可以自制相應(yīng)的Mask降低成本或提升研發(fā)速度需求；本產(chǎn)品采用大功率半導(dǎo)體激光光源，長(zhǎng)壽命、低功耗；用戶(hù)操作界面友好靈活，支持多種版圖設(shè)計(jì)格式；可根據(jù)自身的加工需求，方便靈活的選用不同的投影倍率和不同調(diào)制方式實(shí)現(xiàn)多種模式圖形制備。通用型MiScan產(chǎn)品（單次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重對(duì)準(zhǔn)套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翹曲襯底（0－100微米）圖形光刻，尤其適合MEMS器件、功率器件和射頻器件等厚膠套刻。
此外，面向光電子、柔性電子和新材料領(lǐng)域，蘇大維格提供從4＂－70＂的紫外微納3D光刻直寫(xiě)解決方案和高端裝備，包括支持灰度光刻（微納3D形貌）、微納混合光刻（特征結(jié)構(gòu)90nm或更?。┖痛竺娣e微納圖形直寫(xiě)（高速光刻）。
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